026年6月3日上午，应学院邀请，韩国光云大学Sang Mo Koo教授进行了工学领域的线上学术报告，主题为：“Expanding Horizons for Wide Bandgap Semiconductor Research and Ecosystem in Korea”。学院师生参加了本次报告会。
报告截图
Sang Mo Koo教授重点阐述了韩国宽禁带半导体的研究进展与产业生态发展情况，介绍了以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体在新能源汽车、可再生能源、人工智能数据中心等领域的应用场景，讲解了韩国依托产业电气化、能效提升与供应链建设，推进宽禁带功率半导体产业发展的相关举措。同时，简要介绍了韩国宽禁带半导体全产业链布局、200毫米碳化硅制造工艺、氮化镓器件技术研发现状，以及氧化镓、金刚石等超宽禁带新材料的前沿探索与未来研究方向，并指出了当前产业存在的技术短板与国际合作发展思路。报告会上，在场师生与Sang Mo Koo教授围绕宽禁带半导体技术应用、工艺研发、新材料发展及国际学术合作等关键问题积极提问、交流探讨，现场氛围良好、学术氛围浓厚。此次讲座让师生系统了解了韩国宽禁带半导体领域的发展现状与前沿动态，拓宽了相关专业学术视野，为校内半导体领域学术交流与科研学习提供了有益借鉴。
Sang Mo Koo教授做线上学术报告
报告人简介：
Sang Mo Koo教授任职于韩国光云大学电子材料工程系，宽禁带半导体研究中心主任，韩国产业通商资源部下一代功率半导体国家专项主任，韩国电气电子工程师学会（IKEEE）会长。Sang Mo Koo教授先后于韩国高丽大学取得电气工程学士学位，瑞典皇家理工学院获工程材料物理硕士、电子学博士学位；1999 年以访问研究员身份赴美国麻省理工学院开展合作研究，2003至2006年任职美国国家标准与技术研究院半导体电子学部研究科学家，2012年受聘瑞典皇家理工学院访问教授，深耕电子工程、材料物理与半导体电子相关领域，拥有多国顶尖高校及国家级科研机构研究履历。迄今在国际期刊发表论文200余篇，总引用量为4153次，h指数为30，i10指数为94。主持高压碳化硅（SiC）开关器件（如3.3-4.5千伏级）、基于深能级缺陷控制的超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）/碳化硅（SiC）异质结双极器件等多项韩国产业通商资源部科研项目。
